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愛普生晶振,SG2520VHN晶振,小體積貼片晶振

頻率:25MHZ~500MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.
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愛普生晶振,SG2520VHN晶振,小體積貼片晶振

EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數一數二的晶振制造商,是數碼映像領域的全球領先企業.全稱為愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.主要產品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創QMEMS技術,生產出更小更高性能和全新功能的晶振產品.全球晶振產品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫療電子設備,汽車電子和各類高端消費類電子產品.
  2010年晶振全球廠家排名中, 在占據首位. 愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已. 愛普生晶振以32.768K晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界. 僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領 NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.

愛普生晶振,SG2520VHN晶振,小體積貼片晶振

愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環保活動,把降低 環境負荷作為一種顧客價值提供給顧客。

創造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯產品;并且構筑和革新既可以降低 環境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動。

愛普生株式會社EPSON晶振不僅遵守與環保相關的法規、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據需要自主性的制定基準,通過持續性的展開環保活動來預防污染。

在設定環保目的與目標展開活動的同時,定期重審環境管理體系,努力提高環保活動的水平。

愛普生株式會社EPSON晶振通過與地區的交流及社會貢獻活動,為地區的環保做貢獻。

將環保活動的信息向公司內外公開,積極努力的與地區社會及相關人員建立信賴關系,為社會的發展做出貢獻。

通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業領域業務的所有相關人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開。

愛普生晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量。

愛普生晶振集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況。另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的特有的環境標準。

精工愛普生晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。

EPSON晶振盡可能的采用無害的原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物。集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用。

根據需要,提高環境技術、材料和產品的發展信息及環境管理活動的公開性。

愛普生晶振公司的目標是保證產品繼續滿足客戶要求的同時對環境的影響降到最小,在生產過程中不斷節約能源和資源,努力實現環境管理體系與環境行為持續改進。

承諾保護環境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全。我們從事任何活動,都要以注重安全和環保方式,并考慮到生態系統的復雜性和相關性。


SG2520VHN


項目

符號

規格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

25MHZ~500MHZ

請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息

電源電壓

VCC

2.5 V Typ./ 3.3 V Typ

聯系我們以了解更多相關信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯系我們查看更多資料http://m.takeda-k.com

H: -40 to +105

/

頻率穩定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 /

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年


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