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愛普生晶振,TG2520SMN晶振,溫補晶振

頻率：10MHZ~55MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

愛普生晶振,TG2520SMN晶振,溫補晶振

愛普生株式會社EPSON晶振,愛普生拓優科夢,(EPSON—YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶振, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）。1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.

日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生晶振(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).

愛普生晶振公司已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶創造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創新.這意味著從頭開始創建產品:創建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶.

愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術,生產,銷售和支持和環境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.

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所有產品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指筆記本電腦晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。愛普生晶振,有源晶振,XG5032HAN晶振,X1M0004610001晶振

4：粘合劑:請勿使用可能導致5032系列晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

晶振產品使用每種產品時,請在有源六腳晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。

TG2520SMN

項目	符號	規格說明		條件
項目	符號	VC-TCXO	TCXO	條件
輸出頻率范圍	f₀	10 MHz to 55MHz		請與我們聯系非標準頻率
輸出頻率范圍	f₀	19.2MHz , 26MHz , 38.4MHz		標準頻率
電源電壓	V_CC	1.8V ±0.1V / 2.8V ±5% / 3.0V ±5% / 3.3V ±5%		電源電壓范圍:1.7V to 3.63V
儲存溫度范圍	T_stg	-40°C to +90°C		裸存
工作溫度范圍	T_use	G: -40°C to +85°C
工作溫度范圍	f_tol	±1.5 ×10^-6 Max.		在回流焊后,+25°C
頻率溫度特征	f₀-T_C	C: ±0.5 × 10^-6 Max. / G: -40°C to +85°C F: ±2.0 × 10^-6 Max. / G: -40°C to +85°C
頻率負載變動特征	f₀-Load	±0.1 × 10^-6 Max.		10kΩ // 10pF ±10%
頻率電源電壓特征	f₀-V_CC	±0.1 × 10^-6 Max.		V_CC ± 5%
頻率老化	f_age	±0.5 × 10^-6 Max.		+25°C,第一年, 10 MHz 12 MHz ≦ f₀≦ 20 MHz 24 MHz ≦ f₀≦ 40 MHz
頻率老化	f_age	±1.5 × 10^-6 Max.		+25°C,第一年, 10 MHz < f₀< 12 MHz 20 MHz < f₀< 24 MHz 40 MHz < f₀≦ 55 MHz
功耗	I_CC	1.5 mA Max.		10 MHz ≦ f₀≦ 26 MHz
		1.8 mA Max.		26 MHz < f₀≦ 40 MHz
		2.0 mA Max.		40 MHz < f₀≦ 50 MHz
		2.1 mA Max.		50 MHz < f₀≦ 55 MHz
輸入電阻	Rin	500 kΩ Min.	-	V_C- GND(DC)
頻率控制范圍	f_cont	±8.0 × 10^-6 to ±12.0 × 10^-6	-	B: V_C =0.9V ±0.6V (V_CC=1.8V) C: V_C =1.4V ±1.0V (V_CC=2.8V) D: V_C =1.5V ±1.0V (V_CC=3.0V) E: V_C =1.65V ±1.0V (V_CC=3.3V)
頻率變化極	-	正極	-
占空比	SYM	45% to 55%		GND 極 (DC 切割)
出力電圧	V_PP	0.8V Min.		峰-峰值
振蕩啟動時間	t_str	1.0 ms Max.		在90 % VCC 時，所需時間為0 秒
出力負荷條件	Load_R	10kΩ		DC 切割電容 = 0.01µF
出力負荷條件	Load_C	10pF		DC 切割電容 = 0.01µF

TG2520SMN晶振溫補振蕩器低相噪晶振

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