86-0755-27838351
頻率:12-64MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCB26000LB0B晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振的研磨技術:通過對2520晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業,生產晶振頻率的高低是顯示技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等
KDS晶振規格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
12-64MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
KDS貼片晶振產品列表:
如果由頻率計數器測量的頻率比目標頻率高,要增加石英晶振的電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經過我們調整頻率。如果它的改善,超小型SMD封裝晶振這表示該電路的原始設計不是調諧到最佳共振點為晶體的情況。該貼片晶振應正常后,諧振點的調整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:
方法1:降低產品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。陶瓷封裝貼片晶振我們建議您使用上面的方法來節省成本,保證安全。請用頻率計數器來測量所述無源晶體,以確保經調整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規格,請采用晶體合適的CL值為根據您的目標頻率。請采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
KDS晶振,貼片晶振,DSX221G晶振,1ZCB26000LB0B晶振
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