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康華爾電子有限公司——晶振行業進口晶振品牌代理商

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KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:3.2*2.5mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝,使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品
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1KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

3225mm體積貼片晶振適用于電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于智能電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合ROHS標準.

Diodes 公司為領先業界的高質量應用特定標準產品全球制造商與供貨商,產品涵蓋廣泛領域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes晶振服務的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業及汽車市場.Diodes 的產品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅動器)、AC-DC 轉換器與控制器、DC-DC 開關與線性穩壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關、負載開關、電壓監控器及馬達控制器).

進口石英晶振,多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內

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KDS晶振,DSK321STD晶振,進口貼片晶振

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho(現在的西脅工廠)生產晶體管.

1974年開設川廠(現在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對石英晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和時鐘晶振.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始生產溫補晶振(TCXO)和壓控晶體振蕩器(VCXO).

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS晶振印度尼西亞啟動海外生產石英晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空晶振(德國)公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津公司開始海外生產音叉晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,陶瓷晶振,32.768K晶振,時鐘晶振,壓電石英晶振.

1996獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).

1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.)

2000獲得ISO14001(環境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規范由國際標準化組織).

2003加大天津加工廠面積,擴大石英晶振生產規模,加強石英晶振在中國的銷售.成立上海銳致國際貿易有限公司,以和諧電子公司為我公司的綜合子公司.加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶振(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等器件業務.

2010建立大真空(泰國)有限公司.

2012擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

DSK321STD 3225(TCXO)

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

項目 記號 規格値 條件
min. typ. max. 単位
出力周波數 fo - 32.768 - kHz  
電源電圧範囲 VCC +2.0 - +5.5 V (溫度補償動作)
+1.3 - +5.5 (計時動作)
周波數許容偏差
(常溫偏差含む)
f_tol -5.0 - +5.0 ×10-6 -40~+85℃
-3.8 - +3.8 -10~+60℃
消費電流 ICC - +1.2 +2.5 μA VCC=+3.3V, 溫度補償間隔0.5s, No Load
- +1.7 +3.2 VCC=+5.0V, 溫度補償間隔0.5s, No Load
- +1.0 +2.0 VCC=+3.3V, 溫度補償間隔2.0s, No Load
- +1.5 +3.0 VCC=+5.0V, 溫度補償間隔2.0s, No Load
波形対稱性 SYM 40 50 60 % at 50% VCC
0レベル電圧 VOL - - +0.4 V  
1レベル電圧 VOH VCC-0.4 - -  
立上り時間
立下り時間
tr, tf - - 50 ns VCC=+2.0~+5.5V, 10~90% VCC Level
- - 200 VCC=+1.3~+5.5V, 10~90% VCC Level
出力負荷條件 L_CMOS - - 15 pF  
起動時間 Tstart - - 3.0 s  
梱包単位(1) 2000pcs./reel (φ180)

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振



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