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QANTEK晶振,高性能石英晶體,QTC4晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：4.1*1.5*0.75mm

小體積SMD32.768K時(shí)鐘晶振,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

QANTEK晶振,高性能石英晶體,QTC4晶振.32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

QANTEK的頻率管理組件產(chǎn)品系列因其可靠性,耐用性和性能而廣受認(rèn)可.我們的產(chǎn)品制造符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)格.因此,每一臺(tái)QANTEK晶振產(chǎn)品都能達(dá)到您的期望和超越.此外,我們不斷擴(kuò)大和升級(jí)我們的生產(chǎn)流程,以確保利用新技術(shù)來(lái)保護(hù)和永久改善產(chǎn)品性能和完整性.我們的持續(xù)增長(zhǎng)和極高的客戶保留水平證明了這一承諾.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英貼片晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.

QANTEK晶振	單位	QTC4晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.takeda-k.com/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7.0pF 9.0pF 12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

QTC4 4115

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存無(wú)源晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).

(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至4.1x1.5晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊

自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英貼片晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.

QTC4 4115

QTC4晶體進(jìn)口無(wú)源晶振千赫茲晶振

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