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SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振

頻率:8~100MHZ

尺寸:5.0×3.2×0.7mm

小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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希華科技藉由臺灣、日本、大陸三地的產品設計開發與制程資源整合,不斷開發創新及制程改造,以全系列完整產品線,來滿足客戶對石英元件多樣化的需求。積極地透過產學合作與配合國外技術引進開發新產品,多角化經營、擴大市場領域,此亦為公司得以永續經營的方針。

敏銳地掌握電子產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流,致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品,與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入小體積貼片晶振的量產,藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。

SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,低頻晶振可從8MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

晶振的真空封裝技術:是指壓電石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

希華晶振規格

單位

SX-5032貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

8MHZ~100.0MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-30°C  +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.takeda-k.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C—+85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

SX-5032 5032

以下是石英晶振電路設計匹配問題:

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:

鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規格)

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。

一個穩定的石英晶體振蕩器電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

線路連接的電阻(R)與晶體串聯

(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。

(3)振蕩期間測量R的值。

(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。

附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。SIWARD晶振,貼片晶振,SX-5032晶振

12MHZ貼片晶振,XV晶振,XVFBGCNANF-12.000000晶振

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